一般來說，它是一個去耦電容。或者數字電路通斷時，對電源影響很大，造成電源波動，需要用電容去耦。通常，容量是芯片開關頻率的倒數。如果頻率為1MHz，選擇1/1M，即1uF。你可以拿一個大一點的。比較好有芯片和去耦電容，電源處應該有，用的量還是蠻大的。在一般設計中，提到通常使用0.1uF和10uF、2.2uF和47uF進行電源去耦。在實際應用中如何選擇它們？根據不同的功率輸出或后續電路？通常并聯兩個電容就夠了，但在某些電路中并聯更多的電容可能會更好。不同電容值的電容器并聯可以在很寬的頻率范圍內保證較低的交流阻抗。在運算放大器的電源抑制(PSR)能力下降的頻率范圍內，電源旁路尤為重要。電容可以補償放大器PSR的下降。在很寬的頻率范圍內，這種低阻路徑可以保證噪聲不進入芯片。陶瓷電容器品種繁多，外形尺寸相差甚大從0402（約1×0.5mm）。常州X7S電容哪家好

電容類型由于同一種介質的極化類型不同，其對電場變化的響應速度和極化率也不同。相同體積下，容量不同，導致電容器的介質損耗和容量穩定性不同。材料的溫度穩定性按容量可分為兩類，即I類陶瓷電容器和II類陶瓷電容器。NPO屬于一級陶瓷，其他X7R、X5R、Y5V、Z5U都屬于二級陶瓷。陶瓷電容器的特性5.1電容器的實際電路模型電容器作為基本元件之一，在實際生產中并不理想。會有寄生電感和等效串聯電阻。同時，由于電容器兩極板之間的介質不是相對絕緣的，所以存在較大的絕緣電阻。泰州100uF電容價格陶瓷電容容量從0.5pF起步，可以做到100uF，并且根據電容封裝（尺寸）的不同，容量也會不同。

電容與直流偏置電壓的關系：***類型電介質電容器的電容與DC偏置電壓無關。第二類型電介質電容器的電容隨DC偏壓而變化，陶瓷電容器允許負載的交流電壓與電流和頻率的關系主要受電容器ESR的影響；相對來說，C0G的ESR比較低，所以可以承受比較大的電流，對應的允許施加的交流電壓也比較大；X7R、X5R、Y5V、Z5U的ESR比較大，可以承受C0G以下。同時由于電容遠大于C0G，所以施加的電壓會比C0G小很多。1類介質電容器允許電壓、電流和頻率的解釋當負載頻率較低時，即使負載的交流電壓為額定交流電壓，當流經電容器的電流低于額定電流時，允許電容器負載額定交流電壓，即平坦部分；

具體來說：將電容的兩個管腳短路放電，將萬用表的黑色表筆接到電解電容的正極。紅色探針接負極(對于指針式萬用表，使用數字萬用表測量時探針是互調的)。正常時，探頭應先向低阻方向擺動，然后逐漸回到無窮大。手的擺動幅度越大或返回速度越慢，電容的容量越大；否則，電容器的容量越小。如果指針在中間某處沒有變化，說明電容在漏電。如果電阻指示很小或者為零，說明電容已經擊穿短路。因為萬用表使用的電池電壓一般很低，所以使用測量低耐壓電容時比較準確，而當電容耐壓較高時，雖然測量是正常的，但施加高電壓時可能會發生漏電或擊穿。電解電容器多數采用卷繞結構，很容易擴大體積，因此單位體積電容量非常大，比其它電容大幾倍到幾十倍。

在較低頻率下，較大的電容可以提供低電阻接地路徑。一旦這些電容達到自諧振頻率，它們的電容特性就消失了，它們變成了具有電感特性的元件。這就是并聯使用多個電容的主要原因，可以在很寬的頻率范圍內保持較低的交流阻抗。芯片電源要求電源穩定，但實際電源不穩定，高頻低頻干擾混雜。實際電容與理想電容大相徑庭，具有RLC三重性質。10uf的電容對低頻干擾的過濾效果很好，但對于高頻干擾，電容是感性的，阻抗太大無法有效濾除，所以組合一個0.1uf的電容濾除高頻成分。如果你的設計要求不高，沒必要完全遵守這個規則。電容作為基本元器件之一，實際生產的電容都不是理想的，會有寄生電感，等效串聯電阻存在。常州X7S電容哪家好

鉭電容： 優點：體積小、電容量較大、外形多樣、長壽命、高可靠性、工作溫度范圍寬。常州X7S電容哪家好

鋁電解電容器的擊穿是由于陽極氧化鋁介質膜破裂，導致電解液與陽極直接接觸。氧化鋁膜可能由于各種材料、工藝或環境條件而局部損壞。在外加電場的作用下，工作電解液提供的氧離子可以在受損部位重新形成氧化膜，從而對陽極氧化膜進行填充和修復。但如果受損部位有雜質離子或其他缺陷，使填充修復工作不完善，陽極氧化膜上會留下微孔，甚至可能成為通孔，使鋁電解電容器擊穿。陽極氧化膜不夠致密牢固等工藝缺陷，后續鉚接工藝不好時，引出箔上的毛刺刺破氧化膜，這些刺破的部位漏電流很大，局部過熱導致電容產生熱擊穿。常州X7S電容哪家好