VAISALA維薩拉是許多半導體制造廠測定鎢的CMP研磨液中H2O2濃度的儀器供應商Published:三月17,2021工業測量液體測量化學機械研磨/拋光(CMP)將化學反應和機械研磨結合在一起，是一項成本高昂且具有挑戰性的重要納米拋光工藝。這一工藝是集成電路制造中關鍵的使能步驟，對產量和工作效率都會產生影響。CMP簡介拋光工藝使用含氧化劑的漿料完成，氧化劑通常為過氧化氫(H2O2)。在制造過程中，將晶圓和拋光墊緊密地壓在一起，同時使二者各自以略微不同的速度逆時針旋轉。將漿料鋪在拋光墊中心，然后結合運用機械操作和化學操作，逐步除去晶圓表面的材料，使晶圓表面局部和整體都順滑平坦。使用CMP漿料前，先在工廠對其進行混合或稀釋。氧化物拋光漿料在購買時通常為濃縮狀態，使用前在現場加水稀釋，以減少運輸和人工成本。一些多組分拋光漿料只能隨用隨混，因為這些漿料在混合后有效期很短。確保正確地混合至關重要，EE31-PFTB35/AB6-T24? EE300Ex?型號EE300EX-HT6SADBxxxDxAT/MTx002Uw001溫濕度傳感器EE220-E-S31D07/ABX-T04 .蘇州HVAC暖通行業溫濕度傳感器維修

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維薩拉HUMICAP®180VC適用于過氧化氫(H2O2)環境并配化學***功能的催化傳感器準確度(含非線性、遲滯性和可重復性)+15...+25°C(+59…+77°F)±1%RH(0...90%RH)±1.7%RH(90...**RH)-20...+40°C(-4...+104°F)±(1.0+0.008x讀數)%RH-40...+180°C(-40...+356°F)±(1.5+0.015x讀數)%RH工廠校準不確定性(+20°C)±0.6%RH(0...40%RH)*±1.0%RH(40...97%RH)**定義為±2標準偏差限值。可能存在細微變動；另可參見校準證書。+20°C(+68°F)條件下的響應時間(90%)采用格柵過濾器時為17秒氣流速度0.1m/s采用格柵及不銹鋼網過濾器時為50秒采用燒結過濾器時為60秒溫度HMT311-40...+60°C(-40...+140°F)HMT313-40...+80°C(-40...+176°F)or-40...+120°C(-40...+248°F)HMT314,HMT315,HMT317,HMT318-70...+180°C(-94...+356°F)HC2-SH，HC2-S3H，HC2-S ，HC2-S3，HC2-SH高溫探頭HC2-S3H，HC2-SM溫濕度探頭HC2-HK25 HC2-HK40 HC2-WIN-USB.

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