按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管.按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管.晶體管按其結構及制造工藝可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管.晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、**率晶體管和大功率晶體管.晶體管按工作頻率可分為低頻晶體管、高頻晶體管和超高頻晶體管等.晶體管按封裝結構可分為金屬封裝（簡稱金封）晶體管、塑料封裝（簡稱塑封）晶體管、玻璃殼封裝（簡稱玻封）晶體管、表面封裝（片狀）晶體管和陶瓷封裝晶體管等.其封裝外形多種多樣.光晶體管由雙極型晶體管或場效應晶體管等三端器件構成的光電器件.深圳絕緣柵雙極型晶體管

晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發射極（Emitter）、基極(Base)和集電極（Collector）;場效應晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。晶體管因為有三種極性，所以也有三種的使用方式，分別是發射極接地（又稱共射放大、CE組態）、基極接地（又稱共基放大、CB組態）和集電極接地（又稱共集放大、CC組態、發射極隨耦器）。深圳絕緣柵雙極型晶體管金屬氧化物半導體場效應晶體管。

晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）.晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）；場效應晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）.晶體管因為有三種極性，所以也有三種的使用方式，分別是發射極接地（又稱共射放大、CE組態）、基極接地（又稱共基放大、CB組態）和集電極接地（又稱共集放大、CC組態、發射極隨耦器）.晶體管是一種半導體器件，放大器或電控開關常用.晶體管是規范操作電腦，手機，和所有其他現代電子電路的基本構建塊.由于其響應速度快，準確性高，晶體管可用于各種各樣的數字和模擬功能，包括放大，開關，穩壓，信號調制和振蕩器.晶體管可包裝或在一個非常小的的區域，可容納一億或更多的晶體管集成電路的一部分.

新型機電元件產業——磁電子器件主要產品及服務：液晶顯示器背光電源驅動單元以及變壓器、電感線圈、電源模塊；SMT加工業務.產品適用于液晶顯示器、PDA等顯示設備中使用的LCD背光驅動單元及各類AV設備、通信設備、計測設備、控制設備等使用的各種線圈.新型機電元件產業——集成光電器件集成光電器件是指將具有多種功能的光電器件，用平面波導技術集成在某一基板上，使之成為光電子系統.平面集成光電器件是光通訊器件的發展方向,是技術和市場發展的必然趨勢，是我國重點鼓勵發展的高新產業之一.主要產品包括多功能的光無源器件和有源器件，如基于平面波導的無源器件AWG，功率分離器，集成化收發模塊，ONU（光網絡單元）等.+深圳市凱軒業科技致力于晶體管產品研發及方案設計，有想法的可以來電咨詢！

晶體管的電流放大作用如下圖所示為基本放大電路，為輸入電壓信號，它接入基極-發射極回路，稱為輸入回路；放大后的信號在集電極-發射極回路，稱為輸出回路。由于發射極是兩個回路的公共端，故稱該電路為共射放大電路。晶體管工作在放大狀態的外部條件是發射結正偏且集電結反向偏置，所以輸入回路加的基極電源和輸出回路加的集電極電源的晶體管的結構及類型用不同的摻雜方式在同一個硅片上制造出三個摻雜區域，并形成兩個PN結，就構成了晶體管。結構如圖(a)所示，位于中間的P區稱為基區，它很薄且雜質濃度很低；位于上層的N區是發射區，摻雜濃度很高；位于下層的N區是集電區，面積很大；它們分別引出電極為基極b,發射極e和集電極c。KXY晶體管就像水管中的水閥，可以用來控制流量的機制。深圳電子晶體管

晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關速度可以非常快。深圳絕緣柵雙極型晶體管

IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的**大工作電流（平均值），硅開關二極管在額定功率下允許通過的**大正向直流電流；測穩壓二極管正向電參數時給定的電流IF（AV）---正向平均電流IFM（IM）---正向峰值電流（正向**大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的比較大正向脈沖電流。發光二極管極限電流。IH---恒定電流、維持電流。Ii---；發光二極管起輝電流IFRM---正向重復峰值電流IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流）Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流IF(ov)---正向過載電流IL---光電流或穩流二極管極限電流。凱軒業深圳絕緣柵雙極型晶體管